国产 DRAM 大厂长鑫存储准备入局 NAND 闪存市场

　　9月18日，据外媒权威报道，国内DRAM龙头企业长鑫存储正式开启业务跨界布局，官宣进军NAND闪存赛道，打破长期以来“长存做NAND、长鑫做DRAM”的国产存储产业分工格局。

　　消息显示，长鑫存储已启动系统性的NAND闪存研发规划，将依托北京新建工厂搭建专属NAND闪存研发生产线，同时落地专业研究院，集中攻坚NAND闪存核心技术、工艺迭代与产品适配研发工作。目前企业已与下游客户展开对接，同步推进新品需求适配与技术方案打磨。

　　作为国内DRAM芯片核心自研厂商，长鑫存储长期深耕内存芯片领域，在DDR5、LPDDR5等主流高端DRAM产品上实现规模化量产，是国内打破海外垄断的核心力量。此次入局NAND闪存，标志着企业从单一DRAM芯片厂商，向DRAM、NAND双赛道并行的综合性存储芯片企业转型。

　　业内人士表示，当前全球NAND闪存市场仍由海外巨头主导，国内仅有长江存储实现成熟量产。长鑫存储加码NAND研发，将进一步补齐国产存储技术短板，丰富本土存储芯片供给体系，推动国内存储产业实现全方位自主可控，加速缩小与国际一线厂商的技术差距。