长鑫第五代技术平台量产，核心动能区高度降至 6762nm

　　9 月 20 日，在 2026 世界制造业大会现场，长鑫科技正式宣布第五代 DRAM 技术平台实现量产，国产内存工艺迎来重大突破。

　　该平台实现多项关键工艺指标升级，内存阵列有源区半间距达到 11.95 纳米，存储器电容深宽比 45:1，核心动能区高度降至 6762 纳米。存储密度大幅提升，同等条件下单片晶圆产出相比上一代平台提升 50% 以上，有效优化产品成本与能效表现。

　　基于全新 G5 平台打造的 24Gb LPDDR5X 大容量内存颗粒同步亮相，拥有两种不同封装形态，适配高端手机、便携设备，现已进入规模量产，供给国产旗舰机型。

　　长鑫第五代 DRAM 平台工艺水准比肩全球头部厂商量产节点，进一步强化国内 DRAM 供应链自主可控能力。公司将持续推进存储技术迭代，面向消费电子、算力终端输出国产高性能存储方案。